El transitor de unión bipolar se fabrica básicamente sobre un monocrisal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o <huecos> (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio, Aluminio, o Galio y donantes N al Arsénico o Fósforo. La configuración de uniones P o N, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde los intermedios siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
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